江苏高院：专家辅助人在专利侵权案件中的重要作用(5)

　　因此，一方面，在没有直接证据显示这样的变化不会引起真空室内杂质含量的变化进而影响溅射膜纯度的情况下，不应当认为在溅射膜纯度方面二者能够达到基本相同的效果；另一方面，涉案专利相对于被控侵权技术方案的压力变化达到10倍，必然会对抽真空动力源、设备的承压能力等提出更高的要求，并且需要更长的操作时间，因此，在这些方面也不能认定涉案专利与被控侵权技术方案达到了基本相同的效果。
　　对于工作真空度而言，其是在本底真空度的基础上通过充入氩气而获得的工作状态下的真空度数值。众所周知，磁控溅射的工作原理是：电子e在电场E作用下，在飞向基板过程中与氩原子发生碰撞，使其电离出Ar+和一个新的电子e，电子飞向基板，Ar+在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射，在溅射粒子中中性的靶原子或分子则沉积在基板上形成薄膜。
　　可见，氩气在此过程中除了充当惰性气体保护镍材料不被氧化以外，还充当重要的溅射原子参与磁控溅射过程。由于工作真空度大小关系到工作状态下真空室中存在氩气多少，这会影响电子和氩气碰撞形成电离的几率，进而影响溅射所需的氩离子的密度，影响溅射效率。也就是说，在一定范围内，工作真空度越低（如被控侵权技术方案中的工作真空度），其中充入的氩气越多，相同条件下电子与氩气碰撞形成电离的几率越大，溅射的效率越高。本案中，工作真空度由专利权利要求中的（2.7～4.7）×10-2Pa（高真空度）降低到（2.0～3.0）×10-1Pa（中真空度），相差一个数量级（大约10倍左右），相对于权利要求对工作真空度所限定的变化范围（即在10-2Pa数量级上由2.7变化到4.7，大约2倍的压力变化），大约10倍的压力变化应属于明显差异。因此，在没有直接的证据表明此大约10倍的压力变化不会影响溅射效率的情况下，不应认定涉案专利与被控侵权技术方案达到了基本相同的效果。
　　综上，由于本底真空度以及工作真空度的作用和/或效果在本案所涉及的磁控溅射过程中并不单一，并且各种作用和/或效果之间也会存在相互影响，例如本底真空度升高虽然能够提高溅射膜纯度，但相应的对抽真空能力以及设备承压能力等要求更高，而生产效率会有所下降，并且更重要的是无法对这些升高或降低进行定量比较。因此，在目前证据的基础上不能直接认定不同的本底真空度和工作真空度所产生的整体效果基本相同，也不宜简单地认定被控侵权技术方案的低真空度相对于权利要求的高真空度是变劣的技术方案。
　　再次，对于磁控溅射过程中所涉及的各种参数条件（包括电流密度、溅射时间、电极距离、本底真空度、工作真空度等），虽然其都是现有技术中曾经提到过或者是从现有技术大范围中选择出的小范围，但是，这些工艺参数并不是孤立存在的，为了获得最终的期望溅射效果，通常需要结合具体操作条件，例如溅射基底的材质，磁控溅射装置的类型等，综合调整各个工艺参数，这样的工艺条件的选择是一个动态的过程，需要在设计人员精心计算的基础上进行大量的具体实验才能确定出合适的参数范围，并且这些参数范围都是配套使用的，例如对于被控侵权技术方案在使用聚酯聚氨酯作为基底的情况下，使用相应的较低的真空度；而涉案专利权利要求中则针对聚醚聚氨酯采用相对较高的真空度。
　　因此，这些参数已经由现有技术中供所有人员参考选择的公开属性转变为专用于某种特定对象的专有属性。另外，从专利申请人在授权程序中所作的相关意见陈述内容及科力远公司代理人于庭后提交的代理词的相关内容来看，涉案专利的磁控溅射工艺条件均系专利申请人花费许多心血进行创造性活动，经过反复实验得出的能体现其创造性的发明内容，是专利申请人经过创造性劳动从现有工艺条件（即现有技术）中优选出的技术方案。而被控侵权技术方案中所采用的本底真空度和工作真空度则系本领域普通技术人员无需创造性劳动即可从现有技术中轻易得到的技术方案。因此不能轻易地以两者间可能存在简单联想来主张等同特征的适用。(作者：王晓东，来源：知产库)